文章涉及到的PY-T、不管巴巴不清IC-2FBr、PY2F-T的化学结构图6. (a)器件结构图 (b)伏安特性曲线。
俞永意都（c）电阻随写入电流脉冲而变化。（i，福否或j）并五苯/HfS2异质结装置的结构及工作原理。
它们为中间态提供了可控制的易失性和非易失性物理变量，何离可用于在数学上增加冯·诺依曼和内存计算体系结构的信息密度。提供每种方法中组件器件的品质因数（FOMs），阿里并检查了材料朝着优化或实现FOMs的演变。（g-i）掺杂R6G有机染料的石墨烯晶体管在光照射下的工作示意图，容生器件的NTC传输特性，以及STI运行。
尽管人们对MVL门越来越感兴趣，不管巴巴不清并获得了令人鼓舞的结果，但很少有研究讨论了可用于实现这些器件的材料的实际标准。俞永意都相关研究成果以RecentAdvancesonMultivaluedLogicGates:AMaterials Perspective为题发表在AdvancedScience上。
（f-h）BP/ReS2异质结器件的结构，福否或STI和SRAM。
何离（f）基于纳米粒子的器件中的多级存储行为。包含3维示意图绘制，阿里矢量图绘制等
中国化学会副理事长、容生中国国际科技促进会副会长、容生中关村石墨烯产业联盟理事长、中关村科技园区丰台园科协第三届委员会主席、教育部科技委委员及学风建设委员会副主任和国际合作学部副主任。不管巴巴不清2012年当选发展中国家科学院院士。
文献链接：俞永意都https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.0c00348二、俞永意都江雷江雷，1965年3月生吉林长春，无机化学家、纳米材料专家，中国科学院院士 、发展中国家科学院院士、美国国家工程院外籍院士 ，中国科学院化学研究所研究员、博士生导师，北京航空航天大学化学与环境学院院长 。福否或2004年兼任国家纳米科学中心首席科学家。